|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 19 gevonden artikelen
| Titel: |
Analytical models for the 2DEG concentration and gate leakage current in AlGaN/GaN HEMTs |
| Auteur: |
Ahmed, Nadim Dutta, Aloke K. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 132 (2017) nr. C pagina's 9 p. |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 19 gevonden artikelen
| volgende >> |