|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 35 gevonden artikelen
| Titel: |
Characterization of high-dose and high-energy implanted gate and source diode and analysis of lateral spreading of p gate profile in high voltage SiC static induction transistors |
| Auteur: |
Onose, Hidekatsu Kobayashi, Yutaka Onuki, Jin |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 129 (2017) nr. C pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 35 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |