|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 22 van 35 gevonden artikelen
| Titel: |
In0.18Al0.82N/AlN/GaN MIS-HEMT on Si with Schottky-drain contact |
| Auteur: |
Chen, P.-G. Tang, M. Liao, M.-H. Lee, M.H. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 129 (2017) nr. C pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 22 van 35 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |