|
Characterization and modelling of layout effects in SiGe channel pMOSFETs from 14nm UTBB FDSOI technology |
|
|
|
Titel: |
Characterization and modelling of layout effects in SiGe channel pMOSFETs from 14nm UTBB FDSOI technology |
Auteur: |
Berthelon, R. Andrieu, F. Ortolland, S. Nicolas, R. Poiroux, T. Baylac, E. Dutartre, D. Josse, E. Claverie, A. Haond, M. |
Verschenen in: |
Solid-state electronics |
Paginering: |
Jaargang 128 (2017) nr. C pagina's 8 p. |
Jaar: |
2017 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier Ltd |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|