|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 28 gevonden artikelen
| Titel: |
A compact model of the reverse gate-leakage current in GaN-based HEMTs |
| Auteur: |
Ma, Xiaoyu Huang, Junkai Fang, Jielin Deng, Wanling |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 126 (2016) nr. C pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 28 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |