|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 11 gevonden artikelen
| Titel: |
Analytical model for an asymmetric double-gate MOSFET with gate-oxide thickness and flat-band voltage variations in the subthreshold region |
| Auteur: |
Shin, Yong Hyeon Yun, Ilgu |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 120 (2016) nr. C pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 11 gevonden artikelen
| volgende >> |