|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 11 gevonden artikelen
| Titel: |
Evolution of the gate current in 32nm MOSFETs under irradiation |
| Auteur: |
Palumbo, F. Debray, M. Vega, N. Quinteros, C. Kalstein, A. Guarin, F. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 119 (2016) nr. C pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 11 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |