|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 11 gevonden artikelen
| Titel: |
Corrigendum to “High-ohmic resistors fabricated by PureB layer for silicon drift detectors applications” [Solid State Electron. 105 (2015) 6–11] |
| Auteur: |
Golshani, Negin Derakhshandeh, Jaber Beenakker, C.I.M. Ishihara, R. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 119 (2016) nr. C pagina's 1 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 11 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |