|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 13 gevonden artikelen
| Titel: |
Scattering analysis of 2DEG mobility in undoped and doped AlGaN/AlN/GaN heterostructures with an in situ Si3N4 passivation layer |
| Auteur: |
Atmaca, G. Ardali, S. Tiras, E. Malin, T. Mansurov, V.G. Zhuravlev, K.S. Lisesivdin, S.B. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 118 (2016) nr. C pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 13 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |