|
Improving breakdown, conductive, and thermal performances for SOI high voltage LDMOS using a partial compound buried layer |
|
|
|
Titel: |
Improving breakdown, conductive, and thermal performances for SOI high voltage LDMOS using a partial compound buried layer |
Auteur: |
Hu, Shengdong Luo, Jun Jiang, YuYu Cheng, Kun Chen, Yinhui Jin, Jingjing Wang, Jian’an Zhou, Jianlin Tang, Fang Zhou, Xichuan Gan, Ping |
Verschenen in: |
Solid-state electronics |
Paginering: |
Jaargang 117 (2016) nr. C pagina's 6 p. |
Jaar: |
2016 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier Ltd |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|