|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 16 van 30 gevonden artikelen
| Titel: |
Impact of proton fluence on DC and trapping characteristics in InAlN/GaN HEMTs |
| Auteur: |
Rossetto, I. Rampazzo, F. Gerardin, S. Meneghini, M. Bagatin, M. Zanandrea, A. Dua, C. di Forte-Poisson, M.-A. Aubry, R. Oualli, M. Delage, S.L. Paccagnella, A. Meneghesso, G. Zanoni, E. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 113 (2015) nr. C pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 16 van 30 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |