|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 35 van 40 gevonden artikelen
| Titel: |
Scaling and carrier transport behavior of buried-channel In0.7Ga0.3As MOSFETs with Al2O3 insulator |
| Auteur: |
Kim, Taewoo Kim, Dae-Hyun |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 111 (2015) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
The Authors |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 35 van 40 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |