|
Extraction and modeling of layout-dependent MOSFET gate-to-source/drain fringing capacitance in 40nm technology |
|
|
|
Titel: |
Extraction and modeling of layout-dependent MOSFET gate-to-source/drain fringing capacitance in 40nm technology |
Auteur: |
Sun, Lijie Shang, Ganbing Liu, Linlin Cheng, Jia Guo, Ao Ren, Zheng Hu, Shaojian Chen, Shoumian Zhao, Yuhang Chan, Mansun Zhang, Long Li, Xiaojin Shi, Yanling |
Verschenen in: |
Solid-state electronics |
Paginering: |
Jaargang 111 (2015) nr. C pagina's 5 p. |
Jaar: |
2015 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier Ltd |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|