|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 40 gevonden artikelen
| Titel: |
Effects of thickness and geometric variations in the oxide gate stack on the nonvolatile memory behaviors of charge-trap memory thin-film transistors |
| Auteur: |
Bak, Jun Yong Kim, So-Jung Byun, Chun-Won Pi, Jae-Eun Ryu, Min-Ki Hwang, Chi Sun Yoon, Sung-Min |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 111 (2015) nr. C pagina's 8 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 40 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |