|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 17 gevonden artikelen
| Titel: |
Epitaxial growth and crystalline properties of Ge1− x − y Si x Sn y on Ge(001) substrates |
| Auteur: |
Asano, Takanori Terashima, Tatsuya Yamaha, Takashi Kurosawa, Masashi Takeuchi, Wakana Taoka, Noriyuki Nakatsuka, Osamu Zaima, Shigeaki |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 110 (2015) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 17 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |