|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 13 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of SiN x gate insulator thickness on electrical properties of SiN x /In0.17Al0.83N/AlN/GaN MIS–HEMTs |
| Auteur: |
Downey, B.P. Meyer, D.J. Katzer, D.S. Marron, T.M. Pan, M. Gao, X. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 106 (2015) nr. C pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 13 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |