|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 13 gevonden artikelen
| Titel: |
Radiation-enhanced gate-induced-drain-leakage current in the 130nm partially-depleted SOI pMOSFET |
| Auteur: |
Peng, Chao Hu, Zhiyuan Ning, Bingxu Dai, Lihua Bi, Dawei Zhang, Zhengxuan |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 106 (2015) nr. C pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 13 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |