|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 40 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of slow de-trapping phenomena after a positive gate bias on AlGaN/GaN MIS-HEMTs with in-situ Si3N4/Al2O3 bilayer gate dielectrics |
| Auteur: |
Wu, Tian-Li Marcon, Denis Ronchi, Nicolo Bakeroot, Benoit You, Shuzhen Stoffels, Steve Van Hove, Marleen Bisi, Davide Meneghini, Matteo Groeseneken, Guido Decoutere, Stefaan |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 103 (2015) nr. C pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 40 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |