Digitale Bibliotheek
Sluiten Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
 
<< vorige    volgende >>
     Tijdschrift beschrijving
       Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
         Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
           Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
                                       Details van artikel 30 van 40 gevonden artikelen
 
 
  50nm Al x O y ReRAM program 31% energy, 1.6× endurance, and 3.6× speed improvement by advanced cell condition adaptive verify-reset
 
 
Titel: 50nm Al x O y ReRAM program 31% energy, 1.6× endurance, and 3.6× speed improvement by advanced cell condition adaptive verify-reset
Auteur: Ning, Sheyang
Iwasaki, Tomoko Ogura
Takeuchi, Ken
Verschenen in: Solid-state electronics
Paginering: Jaargang 103 (2015) nr. C pagina's 9 p.
Jaar: 2015
Inhoud:
Uitgever: Elsevier Ltd
Bronbestand: Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
 
 

                             Details van artikel 30 van 40 gevonden artikelen
 
<< vorige    volgende >>
 
 Koninklijke Bibliotheek - Nationale Bibliotheek van Nederland