|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 18 van 40 gevonden artikelen
| Titel: |
GaN–InGaN LED efficiency reduction from parasitic electron currents in p-GaN |
| Auteur: |
Togtema, G. Georgiev, V. Georgieva, D. Gergova, R. Butcher, K.S.A. Alexandrov, D. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 103 (2015) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 18 van 40 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |