|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 31 van 74 gevonden artikelen
| Titel: |
Electrical parameters in highly doped strained n-Si1− x Ge x epilayers grown on Si substrates |
| Auteur: |
Tsamakis, D. Sargentis, Ch. Kuznetsov, A.Yu. Lampakis, D. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 48 (2004) nr. 10-11 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2004 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 31 van 74 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |