|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 38 van 46 gevonden artikelen
| Titel: |
Simulation study of circuit performances of independent double-gate (IDG) MOSFETs with high-permittivity gate dielectrics |
| Auteur: |
Loussier, X. Munteanu, D. Autran, J.L. |
| Verschenen in: |
Journal of Non-Crystalline Solids |
| Paginering: | Jaargang 355 (2009) nr. 18-21 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2009 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 38 van 46 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |