|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 68 van 81 gevonden artikelen
| Titel: |
Surface properties of SiO2 with and without H2O2 treatment as gate dielectrics for pentacene thin-film transistor applications |
| Auteur: |
Hung, Cheng-Chun Lin, Yow-Jon |
| Verschenen in: |
Chemical physics letters |
| Paginering: | Jaargang 691 () nr. C pagina's 141-145 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 68 van 81 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |