|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 31 van 63 gevonden artikelen
| Titel: |
Leakage of holes induced by Si doping in the AlGaN first barrier layer in GaN/AlGaN multiple-quantum-well ultraviolet light-emitting diodes |
| Auteur: |
Liu, Wei Yuan, Shiwei Fan, Xiaoya |
| Verschenen in: |
Journal of luminescence |
| Paginering: | Jaargang 231 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 31 van 63 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |