|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 113 van 120 gevonden artikelen
| Titel: |
Ultrathin GaAsN matrix-induced reduced full width at half maximum of GaAsN/InAs/GaAsN dot-in-a-well heterostructures with extended emission wavelength |
| Auteur: |
Biswas, Mahitosh Balgarkashi, Akshay Makkar, Roshan Lal Bhatnagar, Anuj Chakrabarti, Subhananda |
| Verschenen in: |
Journal of luminescence |
| Paginering: | Jaargang 194 () nr. C pagina's 341-345 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 113 van 120 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |