|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 67 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of the Tb3+ recombination in ion implanted Al x Ga1−x N (0≤x≤1) layers |
| Auteur: |
Rodrigues, J. Fialho, M. Magalhães, S. Correia, M.R. Rino, L. Alves, E. Neves, A.J. Lorenz, K. Monteiro, T. |
| Verschenen in: |
Journal of luminescence |
| Paginering: | Jaargang 178 (2016) nr. C pagina's 10 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 67 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |