|
The transition of growth behaviors of moderate Sn fraction Ge1-xSnx (8 % < x < 15 %) epilayers with low temperature molecular beam epitaxy |
|
|
|
Titel: |
The transition of growth behaviors of moderate Sn fraction Ge1-xSnx (8 % < x < 15 %) epilayers with low temperature molecular beam epitaxy |
Auteur: |
Qian, Kun An, Yuying Cai, Hongjie Yang, Kaisen Qian, Jinhui Ding, Haokun Lin, Guangyang Wang, Jianyuan Xu, Jianfang Huang, Wei Chen, Songyan Li, Cheng |
Verschenen in: |
Journal of crystal growth |
Paginering: |
Jaargang 601 () nr. C pagina's p. |
Jaar: |
2023 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier B.V. |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|