|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 14 van 40 gevonden artikelen
| Titel: |
Fast homoepitaxial growth of 4H-SiC with low basal-plane dislocation density and low trap concentration by hot-wall chemical vapor deposition |
| Auteur: |
Hori, Tsutomu Danno, Katsunori Kimoto, Tsunenobu |
| Verschenen in: |
Journal of crystal growth |
| Paginering: | Jaargang 306 (2007) nr. 2 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2007 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 14 van 40 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |