|
Structure and properties of GaN x O y films grown by nitridation of GaAs (100) substrates |
|
|
|
Titel: |
Structure and properties of GaN x O y films grown by nitridation of GaAs (100) substrates |
Auteur: |
Marco de Lucas, M.C. Fabreguette, F. Linsavanh, M. Imhoff, L. Heintz, O. Josse-Courty, C. Mesnier, M.T. Potin, V. Bourgeois, S. Sacilotti, M. |
Verschenen in: |
Journal of crystal growth |
Paginering: |
Jaargang 261 (2004) nr. 2-3 pagina's 6 p. |
Jaar: |
2004 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier B.V. |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|