|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 44 gevonden artikelen
| Titel: |
Deposition behavior of GaN in AIX 200/4 RF-S horizontal reactor |
| Auteur: |
Yakovlev, E.V. Talalaev, R.A. Makarov, Yu.N. Yavich, B.S. Wang, W.N |
| Verschenen in: |
Journal of crystal growth |
| Paginering: | Jaargang 261 (2004) nr. 2-3 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
2004 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 44 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |