|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
Growth of high-quality GaN by low-pressure metal-organic vapour phase epitaxy (LP-MOVPE) from 3D islands and lateral overgrowth |
| Auteur: |
Lahrèche, H Vennéguès, P Beaumont, B Gibart, P |
| Verschenen in: |
Journal of crystal growth |
| Paginering: | Jaargang 205 (1999) nr. 3 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |