|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
Morphological and structural characteristics of homoepitaxial GaN grown by metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD) |
| Auteur: |
Weyher, J.L. Brown, P.D. Zauner, A.R.A. Müller, S. Boothroyd, C.B. Foord, D.T. Hageman, P.R. Humphreys, C.J. Larsen, P.K. Grzegory, I. Porowski, S. |
| Verschenen in: |
Journal of crystal growth |
| Paginering: | Jaargang 204 (1999) nr. 4 pagina's 10 p. |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 18 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |