|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 18 van 85 gevonden artikelen
| Titel: |
Electron heating effect on transport properties in Si SiGe modulation doped structures grown by gas source molecular beam epitaxy |
| Auteur: |
Matsumura, A. Thornton, T.J. Fernández, J.M. Holmes, S.N. Zhang, J. Joyce, B.A. |
| Verschenen in: |
Journal of crystal growth |
| Paginering: | Jaargang 157 (1995) nr. 1-4 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
1995 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 18 van 85 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |