|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 29 van 134 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of MOVPE growth parameters on the photoluminescence linewidth of ZnS x Se1− x (0⩽x⩽1) epilayers on GaAs |
| Auteur: |
Heuken, M. Geyzers, K.P. Söllner, J. Schneider, A. Guimarães, F.E.G. Heime, K. |
| Verschenen in: |
Journal of crystal growth |
| Paginering: | Jaargang 124 (1992) nr. 1-4 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
1992 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 29 van 134 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |