|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 15 van 28 gevonden artikelen
| Titel: |
I.R. absorption corresponding to transitions of holes from impurity levels to the valence band in silicon and germanium |
| Auteur: |
Staflin, Torsten |
| Verschenen in: |
Journal of physics and chemistry of solids |
| Paginering: | Jaargang 30 (1969) nr. 7 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
1969 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 15 van 28 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |