|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 40 van 54 gevonden artikelen
| Titel: |
Non-volatile memory field effect transistor composed of ferroelectric Mn-doped InP thin films and single-layer MoS2 channel |
| Auteur: |
Kim, Minsoo Son, Jong Yeog |
| Verschenen in: |
Journal of physics and chemistry of solids |
| Paginering: | Jaargang 188 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 40 van 54 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |