|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 29 van 103 gevonden artikelen
| Titel: |
Effects of gate length on GaN HEMT performance at room temperature |
| Auteur: |
Saadaoui, Salah Fathallah, Olfa Maaref, Hassen |
| Verschenen in: |
Journal of physics and chemistry of solids |
| Paginering: | Jaargang 161 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 29 van 103 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |