|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 26 gevonden artikelen
| Titel: |
Stability, electronic and defect levels induced by substitution of Al and P pair in 4H–SiC |
| Auteur: |
Igumbor, E. Dongho-Nguimdo, G.M. Mapasha, R.E. Omotoso, E. Meyer, W.E. |
| Verschenen in: |
Journal of physics and chemistry of solids |
| Paginering: | Jaargang 142 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 26 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |