|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 33 gevonden artikelen
| Titel: |
Annealing effects on physical properties of a Au/a-Si:H Schottky diode prepared via the plasma-enhanced chemical vapor deposition technique |
| Auteur: |
Elghoul, N. Kraiem, S. Rahmouni, H. Khirouni, K. |
| Verschenen in: |
Journal of physics and chemistry of solids |
| Paginering: | Jaargang 132 (2019) nr. C pagina's 18-25 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 33 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |