|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 17 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Simulation of VMOS power transistors |
| Auteur: |
Fang, Y. K. Chang, C. Y. Chen, C. H. Liu, B. D. Wang, S. J. |
| Verschenen in: |
International journal of electronics |
| Paginering: | Jaargang 56 (1984) nr. 3 pagina's 331-337 |
| Jaar: |
1984-03-01 |
| Inhoud: |
The paper describes a new model for simulation of the current/voltage characteristics of VMOS power transistors. The model includes the conventional MOS theory modified by mobility reduction, non-uniform concentration distribution in the channel, and the effective resistance of the drain region. Experimental results are discussed. A comparison of experimental and theoretical results shows that the model accurately predicts the current/voltage characteristics of the device. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 17 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |