|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 77 gevonden artikelen
| Titel: |
A novel multi-cell lateral insulated gate bipolar transistor in the DELDI technology |
| Auteur: |
Qin, Zuxin Narayanan, E. M. Sankara |
| Verschenen in: |
International journal of electronics |
| Paginering: | Jaargang 86 (1999) nr. 10 pagina's 1169-1178 |
| Jaar: |
1999-10-01 |
| Inhoud: |
In this paper, a planar, multi-cell Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor (MCLIGBT) in the Double Epitaxial Layer Dielectric Isolation (DELDI) technology is proposed. This novel device exhibits a quasi-vertical mode of operation to achieve a localized conductivity modulation in the sandwich region between the adjacent cathode cells. Detailed numerical analysis shows that the Kirk effect plays an important role in achieving such a localized conductivity modulation and a significantly enhanced on-state performance is achievable without affecting its switching and blocking capability. Furthermore, this device does not require additional fabrication steps to an existing high voltage CMOS process and, therefore, is highly cost and area efficient. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 77 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |