|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 15 gevonden artikelen
| Titel: |
PZT Based MFS Structure for FeFET |
| Auteur: |
Shao, Tian-Qi Ren, Tian-Ling Wei, Chao-Gang Wang, Xiao-Ning Li, Chun-Xiao Liu, Jian-She Liu, Li-Tian Zhu, Jun Li, Zhi-Jian |
| Verschenen in: |
Integrated ferroelectrics |
| Paginering: | Jaargang 57 (2003) nr. 1 pagina's 1241-1248 |
| Jaar: |
2003 |
| Inhoud: |
Fabrication and properties of lead zirconate titanate (PZT) thin films have been studied for Metal-Ferroelectric-Semiconductor FET (MFSFET) devices. PZT based MFS capacitors using lead titanate (PT) as seeding layers have been respectively prepared on p-type 〈111〉 and n-type 〈100〉 silicon wafers directly by a sol-gel method. PZT/PT films are final annealed at 650°C for 1 min in oxygen ambient using rapid thermal annealing (RTA). The measured memory windows of the MFS capacitors are about 1.8 V and 5 V under the polarization voltages of ±5 V and ±10 V correspondingly. The MFS structure can be valuable for MFSFET applications. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 15 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |