|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 23 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
Sputtered ferroelectric thin films for dynamic random access memory applications |
| Auteur: |
Lee, Jack Chikarmane, Vinay Sudhama, Chandra Kim, Jiyoung |
| Verschenen in: |
Integrated ferroelectrics |
| Paginering: | Jaargang 3 (1993) nr. 2 pagina's 113-120 |
| Jaar: |
1993-06-01 |
| Inhoud: |
A low thermal budget (with 550°C annealing) process with Ti-compensation for sputtered ferroelectric PZT thin films has been developed. PZT films with a composition near the morphotrophic phase boundary (Zr/Ti = 53/47) annealed at 550°C for 1 hr in a N2 ambient exhibits high charge storage density and low leakage current density, which are the important requirements of dielectric materials for ULSI DRAM cells. It was also found that Ti compensated films show good fatigue endurance in comparison with non-Ti compensated films. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 23 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |