|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
Pb(Zr, Ti)O3 thin film growth on yttrium-treated Si(100) |
| Auteur: |
Wu, N. J. Ignatiev, A. Mesarwi, A. Shih, H. D. |
| Verschenen in: |
Integrated ferroelectrics |
| Paginering: | Jaargang 3 (1993) nr. 2 pagina's 139-145 |
| Jaar: |
1993-06-01 |
| Inhoud: |
Pulsed laser ablation has been used to deposit ferroelectric Pb(Zr, Ti)O3 (PZT) thin films on Si(100) and on yttrium-treated Si(100) substrates. The yttrium (Y) treatment of a Si surface followed by oxidation resulted in formation of a very thin, Y-enhanced SiO2 antidiffusion barrier layer, thereby suppressing the undesirable PZT/Si interdiffusion. The best PZT film grown on Y-treated Si(100) had a breakdown voltage of 0.6 MV/cm, a coercive field of 71 KV/cm, and a remanent polarization of 18 μC/cm2. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |