|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 17 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
High quality lead zirconate titanate films grown by organometallic chemical vapour deposition |
| Auteur: |
De Keijser, M. Dormans, G. J. M. Van Veldhoven, P. J. Larsen, P. K. |
| Verschenen in: |
Integrated ferroelectrics |
| Paginering: | Jaargang 3 (1993) nr. 2 pagina's 131-137 |
| Jaar: |
1993-06-01 |
| Inhoud: |
Organometallic chemical vapour deposition is a suitable technique for the deposition of thin films of oxidic compounds such as lead zirconate titanate, PbZrxTi1-xO3. Above a deposition temperature of about 600°C stoichiometric PbZrxTi1-xO3 films can be grown on platinized silicon wafers within a large process window, independent of the precursor partial pressures and the deposition temperature. This is the result of a self-regulating mechanism. The PbZrxTi1-xO3 films have excellent ferroelectric properties exhibiting high values, up to 60μC/cm2, for the remanent polarisation. The value of the coercive field strength varies between 50 and 180 kV/cm, dependent on the composition. Layers with comparable properties can also be grown at lower temperatures, down to 500°C. In this case careful control of the gas-phase composition is required to obtain films with the correct stoichiometry. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 17 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |