|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 69 van 165 gevonden artikelen
| Titel: |
High pressure studies on layered semiconductor germanium sulphide single crystals grown using different techniques |
| Auteur: |
Solanki, G. K. Patel, P. D. Agarwal, M. K. Vaidya, S. N. |
| Verschenen in: |
High pressure research |
| Paginering: | Jaargang 21 (2001) nr. 1 pagina's 15-29 |
| Jaar: |
2001-06-01 |
| Inhoud: |
Single crystals of GeS have been grown by DVT and CVT techniques. The grown crystals have been characterised by XRD. The band gaps Eg have been determined from the optical absorption studies. The results of simultaneous thermoelectric power and resistivity measurements up to 8 GPa on single crystals of GeS grown using different techniques are reported here. The measurements show a decrease in a.c. resistivity with increase in frequency up to 66.6 kHz. This behavior can be attributed to the presence of defects and impurity atoms in the semiconductor, which can contribute to conduction by the hopping process. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 69 van 165 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |