|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 117 van 127 gevonden artikelen
| Titel: |
The shifting of P-E hysteresis loop by the asymmetric contacts on ferroelectric PZT thin films |
| Auteur: |
Lee, J. J. Desu, S. B. |
| Verschenen in: |
Ferroelectrics letters section |
| Paginering: | Jaargang 20 (1995) nr. 1-2 pagina's 27-34 |
| Jaar: |
1995-11-01 |
| Inhoud: |
Ferroelectric PZT thin films were fabricated by metal-organic decomposition (MOD) onto Pt/Ti/SiO2/Si substrates. Different metals (i.e., noble metals: Pt, Ag, and non-noble metals: Al, Cr, In) were selected for top electrodes on PZT thin films. Capacitors with noble metals as top electrodes exhibited symmetric P-E hysteresis loops, whereas capacitors with non-noble metals as top electrodes exhibited asymmetric P-E hysteresis loops. Equivalent energy-band diagrams for these two different capacitor structures are proposed based on that noble metals form Schottky contacts and non-noble metals form ohmic contacts with ferroelectric PZT thin films. The internal field built up by the band bending in the bottom PZT/Pt Schottky contact results in the shifting of P-E hysteresis loop for capacitors with non-noble metals as top electrodes. |
| Uitgever: |
Taylor & Francis |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 117 van 127 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |