|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 8 gevonden artikelen
| Titel: |
Strain-induced semiconductor to metal transition in the two-dimensional honeycomb structure of MoS2 |
| Auteur: |
Scalise, Emilio Houssa, Michel Pourtois, Geoffrey Afanas’ev, Valery Stesmans, André |
| Verschenen in: |
Nano research |
| Paginering: | Jaargang 5 (2012) nr. 1 pagina's 43-48 |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Tsinghua Press, Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 8 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |