|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 31 van 37 gevonden artikelen
| Titel: |
The origin of gate bias stress instability and hysteresis in monolayer WS2 transistors |
| Auteur: |
Lan, Changyong Kang, Xiaolin Meng, You Wei, Renjie Bu, Xiuming Yip, SenPo Ho, Johnny C. |
| Verschenen in: |
Nano research |
| Paginering: | Jaargang 13 () nr. 12 pagina's 3278-3285 |
| Jaar: |
2020-09-05 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Tsinghua University Press, Beijing |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 31 van 37 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |