|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 10 gevonden artikelen
| Titel: |
Anisotropic ordered structures of silicon and silicon carbide by chemical vapor deposition |
| Auteur: |
Rubtsov, N. M. Seplyarskii, B. S. Tsvetkov, G. I. |
| Verschenen in: |
International journal of self-propagation high-temperature synthesis |
| Paginering: | Jaargang 19 (2010) nr. 3 pagina's 186-190 |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Allerton Press, Inc., Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 10 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |